JCS5N60C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS5N60C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для JCS5N60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS5N60C даташит

 ..1. Size:897K  jilin sino
 jcs5n60v jcs5n60r jcs5n60c jcs5n60f.pdf pdf_icon

JCS5N60C

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson Vgs=10V 2.5 Qg 9nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

 0.1. Size:976K  jilin sino
 jcs5n60vb jcs5n60rb jcs5n60cb jcs5n60fb.pdf pdf_icon

JCS5N60C

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 5.0 A VDSS 600 V 2.4 Rdson Vgs=10V Qg 13.3nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su

 8.1. Size:581K  jilin sino
 jcs5n65fb.pdf pdf_icon

JCS5N60C

 9.1. Size:2112K  jilin sino
 jcs5n50vt jcs5n50rt jcs5n50ct jcs5n50ft.pdf pdf_icon

JCS5N60C

N R N-CHANNEL MOSFET JCS5N50T Package MAIN CHARACTERISTICS 5 A ID 500 V VDSS Rdson-max 1.6 @Vgs=10V 15 nC Qg-typ APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS540CT, JCS540FT, JCS540ST, JCS540WT, JCS5N50CC, JCS5N50FC, JCS5N50RC, JCS5N50VC, STP80NF70, JCS5N60CB, JCS5N60F, JCS5N60FB, JCS5N60R, JCS5N60RB, JCS5N60V, JCS5N60VB, JCS5N65FB