JCS630VA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS630VA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JCS630VA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS630VA даташит

 ..1. Size:2285K  jilin sino
 jcs630va jcs630ra jcs630va jcs630ba jcs630sa jcs630fa jcs630ca.pdf pdf_icon

JCS630VA

N N- CHANNEL MOSFET R JCS630A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.4 @Vgs=10V Qg-typ 22nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 ..2. Size:1941K  jilin sino
 jcs630va jcs630ra jcs630ba jcs630sa jcs630ca jcs630fa.pdf pdf_icon

JCS630VA

N N- CHANNEL MOSFET R JCS630A MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.4 @Vgs=10V Qg-typ 22nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие IGBT... JCS5N60V, JCS5N60VB, JCS5N65FB, JCS630BA, JCS630CA, JCS630FA, JCS630RA, JCS630SA, 18N50, JCS640C, JCS640CH, JCS640F, JCS640FH, JCS640RH, JCS640S, JCS640VH, JCS6N70B