Справочник MOSFET. JCS640FH

 

JCS640FH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS640FH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 27.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-220MF
 

 Аналог (замена) для JCS640FH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS640FH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1405K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh.pdf pdf_icon

JCS640FH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18A VDSS 200 V Rdson-max 0.15 @Vgs=10V Qg-typ 27.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 ..2. Size:1803K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh jcs640sh.pdf pdf_icon

JCS640FH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18A VDSS 200 V Rdson-max 0.15 @Vgs=10V Qg-typ 27.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 7.1. Size:1439K  jilin sino
 jcs640s jcs640c jcs640f.pdf pdf_icon

JCS640FH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRF1405 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: IRFZ32 | 2N5520

 

 
Back to Top

 


 
.