JCS640S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS640S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 181 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для JCS640S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS640S даташит

 ..1. Size:1439K  jilin sino
 jcs640s jcs640c jcs640f.pdf pdf_icon

JCS640S

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 0.1. Size:1803K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh jcs640sh.pdf pdf_icon

JCS640S

 8.1. Size:1405K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh.pdf pdf_icon

JCS640S

Другие IGBT... JCS630RA, JCS630SA, JCS630VA, JCS640C, JCS640CH, JCS640F, JCS640FH, JCS640RH, 2N60, JCS640VH, JCS6N70B, JCS6N70C, JCS6N70F, JCS6N70MP, JCS6N70R, JCS6N70S, JCS6N70V