Справочник MOSFET. JCS640S

 

JCS640S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS640S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 47 nC
   Время нарастания (tr): 104 ns
   Выходная емкость (Cd): 181 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для JCS640S

 

 

JCS640S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1439K  jilin sino
jcs640s jcs640c jcs640f.pdf

JCS640S
JCS640S

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 0.1. Size:1803K  jilin sino
jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh jcs640sh.pdf

JCS640S
JCS640S

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18A VDSS 200 V Rdson-max 0.15 @Vgs=10V Qg-typ 27.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 8.1. Size:1405K  jilin sino
jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh.pdf

JCS640S
JCS640S

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18A VDSS 200 V Rdson-max 0.15 @Vgs=10V Qg-typ 27.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top