Справочник MOSFET. JCS640S

 

JCS640S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS640S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 181 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для JCS640S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS640S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1439K  jilin sino
 jcs640s jcs640c jcs640f.pdf pdf_icon

JCS640S

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 0.1. Size:1803K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh jcs640sh.pdf pdf_icon

JCS640S

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18A VDSS 200 V Rdson-max 0.15 @Vgs=10V Qg-typ 27.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 8.1. Size:1405K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh.pdf pdf_icon

JCS640S

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18A VDSS 200 V Rdson-max 0.15 @Vgs=10V Qg-typ 27.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие MOSFET... JCS630RA , JCS630SA , JCS630VA , JCS640C , JCS640CH , JCS640F , JCS640FH , JCS640RH , IRF830 , JCS640VH , JCS6N70B , JCS6N70C , JCS6N70F , JCS6N70MP , JCS6N70R , JCS6N70S , JCS6N70V .

History: JCS6N70B | OSG70R750AF | FMI06N60ES | D640 | KDB7045L | DH0159I | SIHF10N40D

 

 
Back to Top

 


 
.