Справочник MOSFET. JCS730VC

 

JCS730VC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS730VC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80.6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для JCS730VC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS730VC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1785K  jilin sino
 jcs730vc jcs730rc jcs730sc jcs730bc jcs730cc jcs730fc.pdf pdf_icon

JCS730VC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS730C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V Rdson-max 1.0 @Vgs=10V Qg-typ 14 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED power supply

 7.1. Size:811K  jilin sino
 jcs730v jcs730r jcs730b jcs730s jcs730c jcs730f.pdf pdf_icon

JCS730VC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS730 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V 1.0 RdsonVgs=10V Qg 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

Другие MOSFET... JCS730CC , JCS730F , JCS730FC , JCS730R , JCS730RC , JCS730S , JCS730SC , JCS730V , 5N50 , JCS7HN60B , JCS7HN60C , JCS7HN60F , JCS7HN60R , JCS7HN60S , JCS7HN60V , JCS7HN65B , JCS7HN65C .

History: VBE2102M | OSG80R380HF | PD696BA | QM3018D

 

 
Back to Top

 


 
.