JCS730VC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS730VC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JCS730VC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS730VC даташит

 ..1. Size:1785K  jilin sino
 jcs730vc jcs730rc jcs730sc jcs730bc jcs730cc jcs730fc.pdf pdf_icon

JCS730VC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS730C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V Rdson-max 1.0 @Vgs=10V Qg-typ 14 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED power supply

 7.1. Size:811K  jilin sino
 jcs730v jcs730r jcs730b jcs730s jcs730c jcs730f.pdf pdf_icon

JCS730VC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS730 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 5.5 A VDSS 400 V 1.0 Rdson Vgs=10V Qg 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

Другие IGBT... JCS730CC, JCS730F, JCS730FC, JCS730R, JCS730RC, JCS730S, JCS730SC, JCS730V, IRFP064N, JCS7HN60B, JCS7HN60C, JCS7HN60F, JCS7HN60R, JCS7HN60S, JCS7HN60V, JCS7HN65B, JCS7HN65C