JCS7HN60V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS7HN60V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 251 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.3 Ohm
Тип корпуса: TO251
JCS7HN60V Datasheet (PDF)
jcs7hn60v jcs7hn60r jcs7hn60b jcs7hn60s jcs7hn60c jcs7hn60f.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS7HN60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.3 @Vgs=10V Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
jcs7hn65v jcs7hn65r jcs7hn65b jcs7hn65s jcs7hn65c jcs7hn65f.pdf
N RN-CHANNEL MOSFET JCS7HN65C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 650 V Rdson-max Typ 1.05 Vgs=10V Max 1.35 Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply LED Electronic ballast LED po
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
