JCS7HN60V datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS7HN60V

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 251 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JCS7HN60V

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS7HN60V даташит

 ..1. Size:1818K  jilin sino
 jcs7hn60v jcs7hn60r jcs7hn60b jcs7hn60s jcs7hn60c jcs7hn60f.pdf pdf_icon

JCS7HN60V

 7.1. Size:1900K  jilin sino
 jcs7hn65v jcs7hn65r jcs7hn65b jcs7hn65s jcs7hn65c jcs7hn65f.pdf pdf_icon

JCS7HN60V

Другие IGBT... JCS730SC, JCS730V, JCS730VC, JCS7HN60B, JCS7HN60C, JCS7HN60F, JCS7HN60R, JCS7HN60S, IRF840, JCS7HN65B, JCS7HN65C, JCS7HN65F, JCS7HN65R, JCS7HN65S, JCS7HN65V, JCS7N60BB, JCS7N60CB