JCS7N80CH datasheet, аналоги, параметры транзистора

JCS7N80CH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS7N80CH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для JCS7N80CH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JCS7N80CH даташит

..1. Size:1165K jilin sino
jcs7n80fh jcs7n80ch jcs7n80bh jcs7n80sh.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N80H Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 800V Rdson-max 1.6 Vgs=10V Qg-Typ 39nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED po

7.1. Size:667K jilin sino
jcs7n80fc.pdf pdf_icon

9.1. Size:1944K jilin sino
jcs7n70v jcs7n70r jcs7n70c jcs7n70f jcs7n70s jcs7n70b.pdf pdf_icon

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N70C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 700 V Rdson-max 1.6 @Vgs=10V Qg-typ 31 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast UPS UPS FEATUR

9.2. Size:755K jilin sino
jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon