JCS88N75I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS88N75I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO-220C TO-262 TO-263

Аналог (замена) для JCS88N75I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS88N75I даташит

 ..1. Size:1381K  jilin sino
 jcs88n75i.pdf pdf_icon

JCS88N75I

N N-CHANNEL MOSFET JCS88N75I MAIN CHARACTERISTICS Package ID 80A VDSS 75V Rdson-max - 9m (@Vgs=10V Qg-typ 72nC APPLICATIONS High power DC/DC DC/DC converters and switch mode power supplies DC motor control Automotive appli

Другие IGBT... JCS7N60FB, JCS7N60SB, JCS7N65BB, JCS7N65SB, JCS7N80BH, JCS7N80CH, JCS7N80FH, JCS7N80SH, AON6414A, JCS8N60BB, JCS8N60BC, JCS8N60CB, JCS8N60CC, JCS8N60FB, JCS8N60FC, JCS8N60RC, JCS8N60SB