Справочник MOSFET. JCS8N65S

 

JCS8N65S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JCS8N65S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 120 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 32 nC
   Время нарастания (tr): 35 ns
   Выходная емкость (Cd): 251 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для JCS8N65S

 

 

JCS8N65S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1248K  jilin sino
jcs8n65v jcs8n65r jcs8n65c jcs8n65f jcs8n65s jcs8n65b.pdf

JCS8N65S
JCS8N65S

N RN-CHANNEL MOSFET JCS8N65C MAIN CHARACTERISTICS Package 88888888 8ID .0 A VDSS 650 V Rdson-max1.35 @Vgs=10V Qg-typ 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED

 8.1. Size:616K  1
jcs8n60s jcs8n60b jcs8n60c jcs8n60f.pdf

JCS8N65S
JCS8N65S

N RN-CHANNEL MOSFETJCS8N60 Package MAIN CHARACTERISTICS 7.5 A ID 600 V VDSS Rdson 1.2 @Vgs=10V 54 nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 8.2. Size:1084K  jilin sino
jcs8n60vc jcs8n60rc jcs8n60bc jcs8n60sc jcs8n60cc jcs8n60fc.pdf

JCS8N65S
JCS8N65S

N RN-CHANNEL MOSFET JCS8N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson 1.6 @Vgs=10VQg 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATU

 8.3. Size:809K  jilin sino
jcs8n60bb jcs8n60sb jcs8n60cb jcs8n60fb.pdf

JCS8N65S
JCS8N65S

N RN-CHANNEL MOSFET JCS8N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

 8.4. Size:837K  jilin sino
jcs8n60f.pdf

JCS8N65S
JCS8N65S

N RN-CHANNEL MOSFETJCS8N60C Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson 1.3 @Vgs=10VQg 32 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPP08CNE8NG | NCEP035N72

 

 
Back to Top