Справочник MOSFET. JS65R170CM

 

JS65R170CM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JS65R170CM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 151 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO-220C
 

 Аналог (замена) для JS65R170CM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JS65R170CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1822K  jilin sino
 js65r170fm js65r170wm js65r170abm js65r170cm js65r170bm js65r170sm.pdf pdf_icon

JS65R170CM

N R N-CHANNEL MOSFETJS65R170M Package MAIN CHARACTERISTICS 20A ID 650 V VDSS Rdson-max0.17 @Vgs=10V 38.5 nC Qg-typ APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

Другие MOSFET... JCS9N50RC , JCS9N50VC , JCS9N90ABT , JCS9N90BT , JCS9N90FT , JCS9N90WT , JS65R170ABM , JS65R170BM , IRLZ44N , JS65R170FM , JS65R170SM , JS65R170WM , KNH2910A , KNH3206A , KNH3208A , KNH3306A , KNH3725A .

History: WMQ30DP03TS | NCE30H11G | IPI26CN10N | STI33N65M2 | IRFB52N15DPBF | IRF7342QTR | STB36NF06LT4

 

 
Back to Top

 


 
.