KNH3306A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KNH3306A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 73 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 371 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для KNH3306A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNH3306A даташит

 ..1. Size:230K  kia
 knp3306a knh3306a.pdf pdf_icon

KNH3306A

80A 60V N-CHANNELMOSFET KNX3306A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Applications Power supply DC-DCconverters 2. Features RDS(on) =7m (typ.) @VGS=10 V Lead free and Green device available LowRDS-on to minimize conductive loss High avalanchecurrent 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1of 6 Rev1.0Sep. 2018 80A 6

Другие IGBT... JS65R170BM, JS65R170CM, JS65R170FM, JS65R170SM, JS65R170WM, KNH2910A, KNH3206A, KNH3208A, TK10A60D, KNH3725A, KNH7150A, KNH7650A, KNH9120A, KNH9130A, KNL42150A, KNP1906A, KNP2404A