KNH7150A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KNH7150A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 275 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для KNH7150A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNH7150A даташит

 ..1. Size:243K  kia
 knp7150a knf7150a knh7150a.pdf pdf_icon

KNH7150A

20A 500V KNX7150A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.24 @V =10V DS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode 2.Applications Adaptor Charger SMPSPower Supply LCDPanel Power 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Dra

Другие IGBT... JS65R170FM, JS65R170SM, JS65R170WM, KNH2910A, KNH3206A, KNH3208A, KNH3306A, KNH3725A, BS170, KNH7650A, KNH9120A, KNH9130A, KNL42150A, KNP1906A, KNP2404A, KNP2708A, KNP2803A