Справочник MOSFET. KNP6165B

 

KNP6165B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KNP6165B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 125 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для KNP6165B

 

 

KNP6165B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1562K  kia
knp6165b knf6165b.pdf

KNP6165B
KNP6165B

10A650VKNX6165BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RoHSCompliant R ,typ.=0.75 @V =10VDS(ON) GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2. Applications Adaptor Charger SMPSStandby Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1 of 9 Rev 1.0. May. 201910A

 7.1. Size:178K  kia
knf6165a knp6165a.pdf

KNP6165B
KNP6165B

10A650VN-CHANNELMOSFETKNX6165AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionTheKNX6165A-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage,high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, activepower factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology2. Featu

 9.1. Size:773K  kia
knp6180a knf6180a.pdf

KNP6165B
KNP6165B

10A800VKNX6180AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary New Planar Technology R =1.0 @V =10VDS(ON),typ. GS Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications ATX Power LCD Panel Power3. Pin configurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain

 9.2. Size:489K  kia
knp6140a knf6140a.pdf

KNP6165B
KNP6165B

10A400V6140AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.35@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Ballast and Lighting DC-ACInverter Other Applications3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top