Справочник MOSFET. L2N7002KDW1T3G

 

L2N7002KDW1T3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: L2N7002KDW1T3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для L2N7002KDW1T3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

L2N7002KDW1T3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  lrc
l2n7002kdw1t1g l2n7002kdw1t3g.pdfpdf_icon

L2N7002KDW1T3G

L2N7002KDW1T1GS-L2N7002KDW1T1GSmall Signal MOSFET380 mAmps, 60 Volts NChannel SC-881. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable.ESD Protected2. D

 6.1. Size:778K  lrc
l2n7002klt1g.pdfpdf_icon

L2N7002KDW1T3G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Small Signal MOSFET L2N7002KLT1G380 mAmps, 60 Volts NChannel SOT23 S-L2N7002KLT1GFEATURES31)ESD Protected2)Low RDS(on)13)Surface Mount Package24)This is a Pb-Free Device5)We declare that the material of product compliant withSOT23RoHS requirements and Halogen Free.6) S- Prefix for Automotive and Other Applications RequiringUn

 6.2. Size:722K  lrc
l2n7002kn3t5g.pdfpdf_icon

L2N7002KDW1T3G

 7.1. Size:570K  lrc
l2n7002dw1t1g s-l2n7002dw1t1g.pdfpdf_icon

L2N7002KDW1T3G

L2N7002DW1T1GS-L2N7002DW1T1GSmall Signal MOSFET115 mAmps, 60V NChannel SC-881. FEATURESWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101SC88(SOT-363) qualified and PPAP capable.ESD Protected:1000V2. DE

Другие MOSFET... KNY3404C , KNY3406C , KNY3703A , KPE4403A2 , KPE4703A , S-L2N7002DW1T1G , L2N7002FLT1G , L2N7002KDW1T1G , IRF540N , L2N7002KLT1G , L2N7002KN3T5G , S-L2N7002LT1G , L2N7002M3T5G , S-L2N7002M3T5G , L2N7002SDW1T1G , L2N7002SDW1T3G , L2N7002SLT1G .

History: DMP3025LK3 | BLP032N06-Q | 2SK324 | DH028N03D | HGA115N15S | IXTQ26P20P | 2SK4067I

 

 
Back to Top

 


 
.