SLU70R420S2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SLU70R420S2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SLU70R420S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLU70R420S2 даташит

 ..1. Size:789K  maple semi
 sld70r420s2 slu70r420s2.pdf pdf_icon

SLU70R420S2

SLD70R420S2/SLU70R420S2 700V N-channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 11A, 700V, RDS(on)typ= 0.37 @VGS = 10 V Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 24nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize conduction loss, provide superior switching - Fast switc

 8.1. Size:443K  maple semi
 sld70r600s2 slu70r600s2.pdf pdf_icon

SLU70R420S2

SLD70R600S2/SLU70R600S2 700V N-channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 7A, 700V, RDS(on)typ= 0.52 @VGS = 10 V Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 18nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize conduction loss, provide superior switching - Fast switching per

Другие IGBT... SLD60R650S2, SLU60R650S2, SLD65R420S2, SLU65R420S2, SLD65R700S2, SLU65R700S2, SLD65R950S2, SLD70R420S2, IRFP450, SLD70R600S2, SLU70R600S2, SLD70R900S2, SLF70R900S2, SLD740UZ, SLD80R380SJ, SLU80R380SJ, SLP80R380SJ