Справочник MOSFET. SLF32N20C

 

SLF32N20C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLF32N20C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF32N20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  maple semi
slp32n20c slf32n20c.pdfpdf_icon

SLF32N20C

SLP32N20C / SLF32N20CSLP32N20C / SLF32N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using True semis - 32A, 200V, RDS(on) typ. = 0.080@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior s

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WSD3030DN | AP2306CGN-HF | NTR4501NT1 | SIHFIB6N60A | SL9N150T | FX50SMJ-06 | SVT034R0NL5

 

 
Back to Top

 


 
.