SLF40N26C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLF40N26C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 260 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SLF40N26C Datasheet (PDF)
slp40n26c slf40n26c.pdf
SLP40N26C / SLF40N26CSLP40N26C / SLF40N26C260V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 40A, 260V, RDS(on) typ. = 0.12@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 55 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior s
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F