Справочник MOSFET. SLP60R190S2

 

SLP60R190S2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SLP60R190S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SLP60R190S2

 

 

SLP60R190S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:960K  maple semi
 slp60r190s2 slf60r190s2.pdf

SLP60R190S2 SLP60R190S2

SLP60R190S2/SLF60R190S2600V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 20A, 600V, RDS(on)typ= 0.16@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 39nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingpe

 8.1. Size:716K  maple semi
 slp60r850s2 slf60r850s2.pdf

SLP60R190S2 SLP60R190S2

SLP60R850S2/SLF60R850S2600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 5A, 600V, RDS(on) = 850m@VGS = 10 Vadvanced Super-Junction MOSFET technology. - Low gate charge This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchingperformance,

 8.2. Size:1149K  maple semi
 slp60r380s2 slf60r380s2.pdf

SLP60R190S2 SLP60R190S2

SLP60R380S2/SLF60R380S2600V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 11A, 600V, RDS(on)typ= 0.3@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 22nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingper

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top