SLP70R600S2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SLP70R600S2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SLP70R600S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP70R600S2 даташит

 ..1. Size:495K  maple semi
 slp70r600s2 slf70r600s2.pdf pdf_icon

SLP70R600S2

SLP70R600S2/SLF70R600S2 700V N-channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 7A, 700V, RDS(on)typ= 0.52 @VGS = 10 V Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 18nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize conduction loss, provide superior switching - Fast switching per

 8.1. Size:737K  maple semi
 slp70r420s2 slf70r420s2.pdf pdf_icon

SLP70R600S2

SLP70R420S2/SLF70R420S2 700V N-channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 11A, 700V, RDS(on)typ= 0.37 @VGS = 10 V Advanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 24nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize conduction loss, provide superior switching - Fast switc

Другие IGBT... SLP60R380S2, SLF60R380S2, SLP60R850S2, SLF60R850S2, SLP65R420S2, SLF65R420S2, SLP70R420S2, SLF70R420S2, IRFP260, SLF70R600S2, SLP740UZ, SLF740UZ, SLP7N60C, SLF7N60C, SLP7N65C, SLF7N65C, SLP7N70C