Справочник MOSFET. SLP70R600S2

 

SLP70R600S2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLP70R600S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SLP70R600S2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP70R600S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:495K  maple semi
 slp70r600s2 slf70r600s2.pdf pdf_icon

SLP70R600S2

SLP70R600S2/SLF70R600S2700V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 7A, 700V, RDS(on)typ= 0.52@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 18nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingper

 8.1. Size:737K  maple semi
 slp70r420s2 slf70r420s2.pdf pdf_icon

SLP70R600S2

SLP70R420S2/SLF70R420S2700V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 11A, 700V, RDS(on)typ= 0.37@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology. - Low gate charge ( typical 24nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching - Fast switc

Другие MOSFET... SLP60R380S2 , SLF60R380S2 , SLP60R850S2 , SLF60R850S2 , SLP65R420S2 , SLF65R420S2 , SLP70R420S2 , SLF70R420S2 , 8205A , SLF70R600S2 , SLP740UZ , SLF740UZ , SLP7N60C , SLF7N60C , SLP7N65C , SLF7N65C , SLP7N70C .

History: CSD17552Q5A | SVF18NE50PN | JCS7N65BE | IXTH12N150 | NCE60P28AK | HGK020N10S | STF28NM50N

 

 
Back to Top

 


 
.