SLF8N65C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLF8N65C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SLF8N65C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF8N65C даташит

 ..1. Size:361K  maple semi
 slp8n65c slf8n65c.pdf pdf_icon

SLF8N65C

SLP8N65C/SLF8N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.2 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching p

 7.1. Size:2092K  maple semi
 slf8n65sv.pdf pdf_icon

SLF8N65C

 8.1. Size:303K  maple semi
 slp8n60c slf8n60c.pdf pdf_icon

SLF8N65C

SLP8N60C / SLF8N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 7.5A, 600V, RDS(on) typ. = 1.0 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Другие IGBT... SLP7N80C, SLF7N80C, SLP80R240SJ, SLF80R240SJ, SLB80R240SJ, SLP8N60C, SLF8N60C, SLP8N65C, TK10A60D, SLW18N50C, SLW20N50C, SLW24N50C, SLH24N50C, SLW9N90C, LBSS84LT1G, S-LBSS84LT1G, LBSS84WT1G