Справочник MOSFET. LN2302BLT1G

 

LN2302BLT1G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LN2302BLT1G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для LN2302BLT1G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LN2302BLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  lrc
 ln2302blt1g s-ln2302blt1g.pdf pdf_icon

LN2302BLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURES RDS(ON)85m@VGS=4.5V LN2302BLT1G RDS(ON)115m@VGS=2.5V S-LN2302BLT1G RDS(ON)135m@VGS=1.8V 3 Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 12 S- Prefix for Automotive and Other Applications Re

 8.1. Size:623K  lrc
 ln2302lt1g.pdf pdf_icon

LN2302BLT1G

 9.1. Size:450K  lrc
 ln2306lt1g s-ln2306lt1g.pdf pdf_icon

LN2302BLT1G

LN2306LT1GS-LN2306LT1G30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET1. FEATURESVDS= 30VRDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43mRDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62mSOT23(TO-236) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring

Другие MOSFET... SLW20N50C , SLW24N50C , SLH24N50C , SLW9N90C , LBSS84LT1G , S-LBSS84LT1G , LBSS84WT1G , S-LBSS84WT1G , IRFZ46N , S-LN2302BLT1G , LN2302LT1G , LN2306LT1G , S-LN2306LT1G , LN2312LT1G , S-LN2312LT1G , LN2324DT2AG , LN235N3T5G .

History: VBM1104N | 2SK3571-S

 

 
Back to Top

 


 
.