Справочник MOSFET. S-LP2305DSLT1G

 

S-LP2305DSLT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: S-LP2305DSLT1G
   Маркировка: P5S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для S-LP2305DSLT1G

 

 

S-LP2305DSLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:497K  lrc
 lp2305dslt1g s-lp2305dslt1g.pdf

S-LP2305DSLT1G S-LP2305DSLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.12V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP2305DSLT1GV = -12V DSS-LP2305DSLT1GRDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@"3.5A = 68mR 3A = 81DS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@" mR 2A = 118 mDS(ON), Vgs@-1.8V, Ids@"3Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2SOT 23 (TO236AB)Fully Characterized Avalan

 7.1. Size:371K  lrc
 lp2307lt1g s-lp2307lt1g.pdf

S-LP2305DSLT1G S-LP2305DSLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.16V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET LP2307LT1GVDS= -16V S-LP2307LT1GR Vgs@-4.5V, Ids@-4.7A = 70 mDS(ON), mRDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.0A = 1103Features Advanced trench process technology 1High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 2S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring SOT 23 (TO236AB)Unique S

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 

Back to Top