2N65E - аналоги и даташиты транзистора

 

2N65E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N65E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.4 Ohm
   Тип корпуса: TO262
 

 Аналог (замена) для 2N65E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2N65E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  jh
 2n65 2n65f 2n65e 2n65d 2n65n 2n65m.pdf pdf_icon

2N65E

R2N65S E M I C O N D U C T O R650V N-Channel Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYRDS(ON)

 0.1. Size:185K  vishay
 sihg22n65e.pdf pdf_icon

2N65E

SiHG22N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.18 Reduced switching and conduction losses AvailableQg max. (nC) 110 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 15 Avalanche energy rated (UIS) Availab

 0.2. Size:167K  vishay
 sihp12n65e.pdf pdf_icon

2N65E

SiHP12N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 70 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 9 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 16 M

 0.3. Size:134K  vishay
 sihf12n65e.pdf pdf_icon

2N65E

SiHF12N65Ewww.vishay.comVishay SiliconixE Series Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low figure-of-merit (FOM) Ron x QgVDS (V) at TJ max. 700 Low input capacitance (Ciss)RDS(on) max. at 25 C () VGS = 10 V 0.38 Reduced switching and conduction lossesQg max. (nC) 70 Ultra low gate charge (Qg)Qgs (nC) 9 Avalanche energy rated (UIS)Qgd (nC) 16 M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LP3415ELT1G , S-LP3415ELT1G , S-LP4101LT1G , LRC6N33YT1G , LSI1012LT1G , S-LSI1012LT1G , S-SRK7002LT1G , 2N65F , IRF540 , 2N65D , 2N65N , 2N65M , 5N65D , 5N65E , 5N65M , 5N65N , 6N65F .

History: IRF7704 | 2SK2807-01L | RU5H5R | AP9468GP-HF | AFP4953S | AP10TN003I | 2SK3109

 

 
Back to Top

 


 
.