STK3055E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STK3055E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: SOT82
Аналог (замена) для STK3055E
STK3055E Datasheet (PDF)
9.1. Size:332K st
stk30n2llh5.pdf
stk30n2llh5.pdf
STK30N2LLH5N-channel 25 V, 0.0024 , 30 A, PolarPAKSTripFETV Power MOSFETPreliminary DataFeaturesRDS(on) VDSS RDS(on)*QgTypemaxSTK30N2LLH5 25 V
Другие MOSFET... STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 , STK2NA60 , AON6414A , STK3N50 , STK3NA50 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L , STK4N40 , STK6N20 , STK9N10 .
History: STK3N50 | STK2N80
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP80P06D | AP80P04NF | AP80P04D | AP80N07F | AP80N07D | AP80N06NF | AP80N04DF | AP80N04D | AP80N03NF | AP80N03DF | AP80N03D | AP80N02NF | AP80N02DF | AP7P15Y | AP7P15D | APG130N06NF
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor