LNC20N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LNC20N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 263 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LNC20N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNC20N60 даташит

 ..1. Size:1196K  lonten
 lnc20n60 lnd20n60 lnb20n60.pdf pdf_icon

LNC20N60

LNC20N60/ LND20N60/LNB20N60 Lonten N-channel 600V, 20A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 20A D resulting device has low conduction resistance, R 0.45 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 63.7 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge

 7.1. Size:1197K  lonten
 lnc20n65 lnd20n65 lnb20n65.pdf pdf_icon

LNC20N60

LNC20N65/LND20N65/LNB20N65 Lonten N-channel 650V, 20A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 20A D resulting device has low conduction resistance, R 0.5 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 58.3 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (t

Другие IGBT... LNC10R040W3, LNC10R180, LNC12N60, LNC12N65, LNC13N50, LNC16N60, LNC16N65, LNC18N50, 13N50, LNC20N65, LNC2N60, LNC2N65, LNC4N60, LNC4N65, LNC4N80, LNC5N50, LNC5N65B