LNC5N65B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LNC5N65B  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LNC5N65B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNC5N65B даташит

 ..1. Size:1292K  lonten
 lnc5n65b lnd5n65b lng5n65b lnh5n65b.pdf pdf_icon

LNC5N65B

LNC5N65B LND5N65B LNG5N65B LNH5N65B Lonten N-channel 650V, 5A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 5A D resulting device has low conduction resistance, R 2.1 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 14.5 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate ch

 9.1. Size:1205K  lonten
 lnc5n50 lnd5n50 lng5n50 lnh5n50.pdf pdf_icon

LNC5N65B

LNC5N50 LND5N50 LNG5N50 LNH5N50 Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 500V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 5A D resulting device has low conduction resistance, R 1.6 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 12.8 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge

Другие IGBT... LNC20N60, LNC20N65, LNC2N60, LNC2N65, LNC4N60, LNC4N65, LNC4N80, LNC5N50, CS150N03A8, LNC7N60, LNC7N60D, LNC7N65D, LND04R035B, LND06R062, LND06R079, LND08R055W3, LND08R085