Справочник MOSFET. LNC5N65B

 

LNC5N65B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNC5N65B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для LNC5N65B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNC5N65B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1292K  lonten
 lnc5n65b lnd5n65b lng5n65b lnh5n65b.pdf pdf_icon

LNC5N65B

LNC5N65B\LND5N65B\LNG5N65B\LNH5N65BLonten N-channel 650V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 2.1DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 14.5 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate ch

 9.1. Size:1205K  lonten
 lnc5n50 lnd5n50 lng5n50 lnh5n50.pdf pdf_icon

LNC5N65B

LNC5N50\LND5N50\LNG5N50\LNH5N50Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 1.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

Другие MOSFET... LNC20N60 , LNC20N65 , LNC2N60 , LNC2N65 , LNC4N60 , LNC4N65 , LNC4N80 , LNC5N50 , IRLB4132 , LNC7N60 , LNC7N60D , LNC7N65D , LND04R035B , LND06R062 , LND06R079 , LND08R055W3 , LND08R085 .

History: SVS70R600DE3TR | PHP79NQ08LT | ME35N06 | SVS65R280DD4TR | LSD65R180GT | IXFV110N10PS | F3F90HVX2

 

 
Back to Top

 


 
.