LND10N60 - описание и поиск аналогов

 

LND10N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LND10N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для LND10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND10N60 даташит

 ..1. Size:1046K  lonten
 lnd10n60 lnc10n60 lne10n60 lnf10n60.pdf pdf_icon

LND10N60

LND10N60/LNC10N60/LNE10N60/LNF10N60 Lonten N-channel 600V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planer VDMOS technology. The ID 10A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 0.9 superior switching performance and high avalance Qg,typ 31.4 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

 7.1. Size:1293K  lonten
 lnd10n65 lnc10n65 lne10n65 lnf10n65 lndn10n65.pdf pdf_icon

LND10N60

LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65/LNDN10N65 Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 10A D resulting device has low conduction resistance, R 1.0 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 34.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on)

 7.2. Size:1051K  lonten
 lnd10n65 lnc10n65 lne10n65 lnf10n65.pdf pdf_icon

LND10N60

LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65 Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 10A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.0 superior switching performance and high avalanche Qg,typ 34.2 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

 9.1. Size:1003K  lonten
 lnc10r180 lnd10r180 lne10r180.pdf pdf_icon

LND10N60

LNC10R180 LND10R180/LNE10R180 Lonten N-channel 100V, 80A, 18m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 100V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 18m technology. This advanced technology has been ID 80A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... LNC7N60, LNC7N60D, LNC7N65D, LND04R035B, LND06R062, LND06R079, LND08R055W3, LND08R085, IRFP250, LND10N65, LND10R040W3, LND10R180, LND12N60, LND12N65, LND13N50, LND16N60, LND16N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.