Справочник MOSFET. LND12N60

 

LND12N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LND12N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 37.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для LND12N60

 

 

LND12N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1044K  lonten
 lnd12n60 lnc12n60 lne12n60 lnf12n60.pdf

LND12N60 LND12N60

LND12N60/LNC12N60/LNE12N60/LNF12N60 Lonten N-channel 600V, 12A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planer VDMOS technology. The ID 12A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 0.75 superior switching performance and high avalance Qg,typ 40.8 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

 7.1. Size:1285K  lonten
 lnd12n65 lnc12n65 lne12n65 lnf12n65 lndn12n65.pdf

LND12N60 LND12N60

LND12N65/LNC12N65/LNE12N65/LNF12N65/LNDN12N65Lonten N-channel 650V, 12A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 12ADresulting device has low conduction resistance, R 0.8DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 41.9 nCg,typenergy.Features Low RDS(on)

 7.2. Size:1032K  lonten
 lnd12n65 lnc12n65 lne12n65 lnf12n65.pdf

LND12N60 LND12N60

LND12N65/LNC12N65/LNE12N65/LNF12N65 Lonten N-channel 650V, 12A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 12A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 0.8 superior switching performance and high avalanche Qg,typ 41.9 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top