LND4N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LND4N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 57.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.8 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LND4N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND4N80 даташит

 ..1. Size:1346K  lonten
 lnc4n80 lnd4n80 lnb4n80.pdf pdf_icon

LND4N80

LNC4N80/LND4N80/LNB4N80 Lonten N-channel 800V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 800V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 4A D resulting device has low conduction resistance, R 3.8 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 18.9 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q

 ..2. Size:1406K  lonten
 lnc4n80 lnd4n80 lnb4n80 lng4n80 lnh4n80.pdf pdf_icon

LND4N80

LNC4N80/LND4N80/LNB4N80/LNG4N80/LNH4N80 Lonten N-channel 800V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 800V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 4A D resulting device has low conduction resistance, R 3.8 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 18.9 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gat

 9.1. Size:1293K  lonten
 lnc4n60 lnd4n60 lng4n60 lnh4n60 lnf4n60.pdf pdf_icon

LND4N80

LNC4N60 LND4N60 LNG4N60 LNH4N60 LNF4N60 Lonten N-channel 600V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 4A D resulting device has low conduction resistance, R 2.4 DS(on),max superior switching performance and high avalance Q 12.8 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate

 9.2. Size:1098K  lonten
 lnc4n65 lnd4n65 lng4n65 lnh4n65 lnf4n65.pdf pdf_icon

LND4N80

LNC4N65 LND4N65 LNG4N65 LNH4N65 LNF4N65 Lonten N-channel 650V, 4A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planar VDMOS technology. The ID 4A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 2.70 superior switching performance and high Qg,typ 12 nC avalance energy. Features Low RDS(on) Low gate

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... LND16N65, LND18N50, LND20N60, LND20N65, LND2N60, LND2N65, LND4N60, LND4N65, P60NF06, LND5N50, LND5N65B, LND7N60, LND7N60D, LND7N65D, LNDN10N65, LNDN12N65, LNE06R062