Справочник MOSFET. LNE08R160

 

LNE08R160 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LNE08R160
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
   Время нарастания (tr): 17.7 ns
   Выходная емкость (Cd): 196 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для LNE08R160

 

 

LNE08R160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:989K  lonten
 lnc08r160 lne08r160.pdf

LNE08R160 LNE08R160

LNC08R160/LNE08R160 Lonten N-channel 80V, 60A, 16m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 16m technology. This advanced technology has been ID 60A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high

 8.1. Size:1141K  lonten
 lnc08r055w3 lnd08r055w3 lne08r055w3.pdf

LNE08R160 LNE08R160

LNC08R055W3/LND08R055W3/LNE08R055W3 Lonten N-channel 85V, 120A, 5.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 85V effect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 5.5m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching per

 8.2. Size:1349K  lonten
 lnc08r085 lnd08r085 lne08r085.pdf

LNE08R160 LNE08R160

LNC08R085\LND08R085/LNE08R085 Lonten N-channel 80V, 80A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8.5m technology. This advanced technology has been ID 80A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top