LNE12N60 - описание и поиск аналогов

 

LNE12N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNE12N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 37.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для LNE12N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNE12N60 даташит

 ..1. Size:1044K  lonten
 lnd12n60 lnc12n60 lne12n60 lnf12n60.pdf pdf_icon

LNE12N60

LND12N60/LNC12N60/LNE12N60/LNF12N60 Lonten N-channel 600V, 12A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planer VDMOS technology. The ID 12A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 0.75 superior switching performance and high avalance Qg,typ 40.8 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

 7.1. Size:1285K  lonten
 lnd12n65 lnc12n65 lne12n65 lnf12n65 lndn12n65.pdf pdf_icon

LNE12N60

LND12N65/LNC12N65/LNE12N65/LNF12N65/LNDN12N65 Lonten N-channel 650V, 12A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 12A D resulting device has low conduction resistance, R 0.8 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 41.9 nC g,typ energy. Features Low R DS(on)

 7.2. Size:1032K  lonten
 lnd12n65 lnc12n65 lne12n65 lnf12n65.pdf pdf_icon

LNE12N60

LND12N65/LNC12N65/LNE12N65/LNF12N65 Lonten N-channel 650V, 12A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 12A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 0.8 superior switching performance and high avalanche Qg,typ 41.9 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

Другие MOSFET... LNE07R085H , LNE08R055W3 , LNE08R085 , LNE08R160 , LNE10N60 , LNE10N65 , LNE10R040W3 , LNE10R180 , 60N06 , LNE12N65 , LNF10N60 , LNF10N65 , LNF12N60 , LNF12N65 , LNF4N60 , LNF4N65 , LNF7N65D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.