Справочник MOSFET. LNF10N60

 

LNF10N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LNF10N60
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 32.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 138.2 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для LNF10N60

 

 

LNF10N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1046K  lonten
 lnd10n60 lnc10n60 lne10n60 lnf10n60.pdf

LNF10N60 LNF10N60

LND10N60/LNC10N60/LNE10N60/LNF10N60 Lonten N-channel 600V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planer VDMOS technology. The ID 10A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 0.9 superior switching performance and high avalance Qg,typ 31.4 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

 7.1. Size:1293K  lonten
 lnd10n65 lnc10n65 lne10n65 lnf10n65 lndn10n65.pdf

LNF10N60 LNF10N60

LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65/LNDN10N65Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 10ADresulting device has low conduction resistance, R 1.0DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 34.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on)

 7.2. Size:1051K  lonten
 lnd10n65 lnc10n65 lne10n65 lnf10n65.pdf

LNF10N60 LNF10N60

LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65 Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 10A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.0 superior switching performance and high avalanche Qg,typ 34.2 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top