LNF10N60 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LNF10N60  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 138.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO-262

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LNF10N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNF10N60 даташит

 ..1. Size:1046K  lonten
 lnd10n60 lnc10n60 lne10n60 lnf10n60.pdf pdf_icon

LNF10N60

LND10N60/LNC10N60/LNE10N60/LNF10N60 Lonten N-channel 600V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planer VDMOS technology. The ID 10A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 0.9 superior switching performance and high avalance Qg,typ 31.4 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

 7.1. Size:1293K  lonten
 lnd10n65 lnc10n65 lne10n65 lnf10n65 lndn10n65.pdf pdf_icon

LNF10N60

LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65/LNDN10N65 Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 10A D resulting device has low conduction resistance, R 1.0 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 34.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on)

 7.2. Size:1051K  lonten
 lnd10n65 lnc10n65 lne10n65 lnf10n65.pdf pdf_icon

LNF10N60

LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65 Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 10A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.0 superior switching performance and high avalanche Qg,typ 34.2 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

Другие IGBT... LNE08R085, LNE08R160, LNE10N60, LNE10N65, LNE10R040W3, LNE10R180, LNE12N60, LNE12N65, AO4468, LNF10N65, LNF12N60, LNF12N65, LNF4N60, LNF4N65, LNF7N65D, XR46000ESETR, MC2539