STP13N10L - описание и поиск аналогов

 

STP13N10L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP13N10L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP13N10L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP13N10L даташит

 ..1. Size:254K  st
stp13n10l stp13n10lfi.pdfpdf_icon

STP13N10L

 8.1. Size:489K  st
stb13nk60zt4 stp13nk60z stp13nk60zfp stw13nk60z.pdfpdf_icon

STP13N10L

STB13NK60ZT4, STP13NK60Z STP13NK60ZFP, STW13NK60Z N-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 2 STB13NK60ZT4 600 V

 8.2. Size:491K  st
stb13nk60zt4 stw13nk60z stp13nk60zfp.pdfpdf_icon

STP13N10L

STB13NK60ZT4, STP13NK60Z STP13NK60ZFP, STW13NK60Z N-channel 600 V, 0.48 , 13 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET Features RDS(on) Type VDSS ID Pw max 3 3 2 STB13NK60ZT4 600 V

 8.3. Size:657K  st
stp13nk60z.pdfpdf_icon

STP13N10L

STP13NK60Z/FP, STB13NK60Z STB13NK60Z-1, STW13NK60Z N-CHANNEL 600V-0.48 -13A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STP13NK60Z 600 V

Другие MOSFET... STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L , STK4N40 , STK6N20 , STK9N10 , STP10NA40 , STP10NA40FI , 2N7002 , STP13N10LFI , STP15N05L , STP15N05LFI , STP15N06L , STP15N06LFI , STP18N10 , STP18N10FI , STP19N06 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.