LNH04R165 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LNH04R165  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 127 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: TO-251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LNH04R165

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNH04R165 даташит

 ..1. Size:966K  lonten
 lng04r165 lnh04r165.pdf pdf_icon

LNH04R165

LNG04R165/LNH04R165 Lonten N-channel 40V, 39A, 16.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 40V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 16.5m GS technology. This advanced technology has been I 39A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with Pin C

 7.1. Size:991K  lonten
 lnh04r120 lng04r120.pdf pdf_icon

LNH04R165

LNH04R120/LNG04R120 Lonten N-channel 40V, 47A, 12m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 12m technology. This advanced technology has been ID 47A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high

 8.1. Size:1148K  lonten
 lnh04r075 lng04r075.pdf pdf_icon

LNH04R165

LNH04R075/LNG04R075 Lonten N-channel 40V, 80A, 7.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 7.5m technology. This advanced technology has been ID 80A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand hi

 8.2. Size:1002K  lonten
 lng04r035b lnh04r035b.pdf pdf_icon

LNH04R165

LNG04R035B/ LNH04R035B Lonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 40V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 3.5m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with sta

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... LNH045R055, LNH045R090, LNH045R140, LNH045R210, LNH04R035B, LNH04R050, LNH04R075, LNH04R120, 12N60, LNH05R075, LNH05R100, LNH05R155, LNH05R230, LNH06R062, LNH06R079, LNH06R110, LNH06R140