Справочник MOSFET. STP15N06LFI

 

STP15N06LFI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP15N06LFI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для STP15N06LFI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP15N06LFI Datasheet (PDF)

 5.1. Size:382K  st
 stp15n06l.pdf pdf_icon

STP15N06LFI

STP15N06LSTP15N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP15N06L 60 V

 6.1. Size:196K  st
 stp15n06.pdf pdf_icon

STP15N06LFI

STP15N06LSTP15N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP15N06L 60 V

 7.1. Size:201K  st
 stp15n05.pdf pdf_icon

STP15N06LFI

STP15N05LSTP15N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP15N05L 50 V

 7.2. Size:380K  st
 stp15n05l.pdf pdf_icon

STP15N06LFI

STP15N05LSTP15N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP15N05L 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STK9N10 , STP10NA40 , STP10NA40FI , STP13N10L , STP13N10LFI , STP15N05L , STP15N05LFI , STP15N06L , SPP20N60C3 , STP18N10 , STP18N10FI , STP19N06 , STP19N06FI , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI .

History: BR7N60

 

 
Back to Top

 


 
.