STP19N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STP19N06
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP19N06
STP19N06 Datasheet (PDF)
stp19n06.pdf

STP19N06STP19N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19N06 60 V
stp19n06--.pdf

STP19N06STP19N06FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP19N06 60 V
stp19n06l.pdf

STP19N06LSTP19N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP19N06L 60 V
Другие MOSFET... STP13N10L , STP13N10LFI , STP15N05L , STP15N05LFI , STP15N06L , STP15N06LFI , STP18N10 , STP18N10FI , IRF9540N , STP19N06FI , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L .
History: IXFM21N50
History: IXFM21N50



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP80P06D | AP80P04NF | AP80P04D | AP80N07F | AP80N07D | AP80N06NF | AP80N04DF | AP80N04D | AP80N03NF | AP80N03DF | AP80N03D | AP80N02NF | AP80N02DF | AP7P15Y | AP7P15D | APG130N06NF
Popular searches
jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent