STP19N06 - описание и поиск аналогов

 

STP19N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STP19N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для STP19N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP19N06 даташит

 ..1. Size:387K  st
stp19n06.pdfpdf_icon

STP19N06

STP19N06 STP19N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP19N06 60 V

 0.1. Size:194K  st
stp19n06--.pdfpdf_icon

STP19N06

STP19N06 STP19N06FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP19N06 60 V

 0.2. Size:142K  st
stp19n06l.pdfpdf_icon

STP19N06

STP19N06L STP19N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP19N06L 60 V

 7.1. Size:143K  st
stp19n05l.pdfpdf_icon

STP19N06

Другие MOSFET... STP13N10L , STP13N10LFI , STP15N05L , STP15N05LFI , STP15N06L , STP15N06LFI , STP18N10 , STP18N10FI , SPP20N60C3 , STP19N06FI , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.