Справочник MOSFET. LSB60R280HT

 

LSB60R280HT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSB60R280HT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 41.8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для LSB60R280HT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSB60R280HT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1293K  lonten
lsd60r280ht lsg60r280ht lsh60r280ht lsf60r280ht lse60r280ht lsb60r280ht.pdfpdf_icon

LSB60R280HT

LSD60R280HT/LSG60R280HT/LSH60R280HT/LSF60R280HT/ LSE60R280HT/ LSB60R280HTLonFETLonten N-channel 600V, 15A, 0.28 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.28DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 45ADMespecially suitable for appl

 ..2. Size:1336K  lonten
lsd60r280ht lsg60r280ht lsh60r280ht lsb60r280ht lsf60r280ht lse60r280ht lsc60r280ht.pdfpdf_icon

LSB60R280HT

LSD60R280HT/LSG60R280HT/LSH60R280HT/LSB60R280HTLSF60R280HT/ LSE60R280HT/ LSC60R280HTLonFETLonten N-channel 600V, 15A, 0.28 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.28DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 45ADMespecially suitab

 ..3. Size:1313K  lonten
lsd60r280ht lsg60r280ht lsh60r280ht lsf60r280htlse60r280ht lsb60r280ht.pdfpdf_icon

LSB60R280HT

LSD60R280HT/LSG60R280HT/LSH60R280HT/LSF60R280HT/ LSE60R280HT/ LSB60R280HTLonFETLonten N-channel 600V, 15A, 0.28 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.28DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 45ADMespecially suitable for appl

 8.1. Size:1094K  lonten
lsb60r105hf lsd60r105hf lse60r105hf lsc60r105hf.pdfpdf_icon

LSB60R280HT

LSB60R105HF/LSD60R105HF/LSE60R105HF/LSC60R105HFLonFETLonten N-channel 600V, 40A, 0.105 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.105DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 120ADMespecially suitable for applications which require

Другие MOSFET... LSB60R092GF , LSB60R092GT , LSB60R099HT , LSB60R105HF , LSB60R125HT , LSB60R170GF , LSB60R170GT , LSB60R180HT , IRF540N , LSB65R041GF , LSB65R041GT , LSB65R070GF , LSB65R099GF , LSB65R099GT , LSB65R125HT , LSB65R180GF , LSB65R180GT .

History: FIR60N04LG | 2SK3042 | IRFS9623 | MPSD70M600B | AP4525GEM-HF | AM2328N

 

 
Back to Top

 


 
.