LSC80R680GT - описание и поиск аналогов

 

LSC80R680GT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSC80R680GT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для LSC80R680GT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSC80R680GT даташит

 ..1. Size:1396K  lonten
 lsc80r680gt lsd80r680gt lse80r680gt lsf80r680gt lsg80r680gt lsh80r680gt.pdf pdf_icon

LSC80R680GT

LSC80R680GT/LSD80R680GT/LSE80R680GT/ LSF80R680GT/LSG80R680GT/LSH80R680GT LonFET Lonten N-channel 800V, 8A, 0.68 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.68 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 8A DM especially suitable for applicat

 8.1. Size:1307K  lonten
 lsc80r980gt lsd80r980gt lse80r980gt lsf80r980gt lsg80r980gt lsh80r980gt.pdf pdf_icon

LSC80R680GT

LSC80R980GT/LSD80R980GT/LSE80R980GT/ LSF80R980GT/LSG80R980GT/LSH80R980GT LonFET Lonten N-channel 800V, 5A, 0.98 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.98 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 5A DM especially suitable for applicat

 8.2. Size:1197K  lonten
 lsb80r350gt lsc80r350gt lsd80r350gt lse80r350gt lsf80r350gt.pdf pdf_icon

LSC80R680GT

LSB80R350GT /LSC80R350GT/LSD80R350GT/LSE80R350GT/LSF80R350GT LonFET Lonten N-channel 800V, 15A, 0.35 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850V DS j,max advanced super junction technology. The R 0.35 DS(on),max resulting device has extremely low on resistance, I 45A DM making it especially suitable for applications which

Другие MOSFET... LSC65R380GF , LSC65R380GT , LSC65R380HT , LSC65R570GT , LSC65R650HT , LSC70R380GT , LSC70R640GT , LSC80R350GT , SPP20N60C3 , LSC80R980GT , LSD50R160HT , LSD55R066GT , LSD55R140GF , LSD55R140GT , LSD60R070HT , LSD60R092GF , LSD60R092GT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.