Справочник MOSFET. LSC80R980GT

 

LSC80R980GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSC80R980GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для LSC80R980GT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSC80R980GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1307K  lonten
 lsc80r980gt lsd80r980gt lse80r980gt lsf80r980gt lsg80r980gt lsh80r980gt.pdf pdf_icon

LSC80R980GT

LSC80R980GT/LSD80R980GT/LSE80R980GT/LSF80R980GT/LSG80R980GT/LSH80R980GTLonFETLonten N-channel 800V, 5A, 0.98 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.98DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 5ADMespecially suitable for applicat

 8.1. Size:1396K  lonten
 lsc80r680gt lsd80r680gt lse80r680gt lsf80r680gt lsg80r680gt lsh80r680gt.pdf pdf_icon

LSC80R980GT

LSC80R680GT/LSD80R680GT/LSE80R680GT/LSF80R680GT/LSG80R680GT/LSH80R680GTLonFETLonten N-channel 800V, 8A, 0.68 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.68DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 8ADMespecially suitable for applicat

 8.2. Size:1197K  lonten
 lsb80r350gt lsc80r350gt lsd80r350gt lse80r350gt lsf80r350gt.pdf pdf_icon

LSC80R980GT

LSB80R350GT /LSC80R350GT/LSD80R350GT/LSE80R350GT/LSF80R350GTLonFETLonten N-channel 800V, 15A, 0.35 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The R 0.35DS(on),maxresulting device has extremely low on resistance, I 45ADMmaking it especially suitable for applications which

Другие MOSFET... LSC65R380GT , LSC65R380HT , LSC65R570GT , LSC65R650HT , LSC70R380GT , LSC70R640GT , LSC80R350GT , LSC80R680GT , IRF9540N , LSD50R160HT , LSD55R066GT , LSD55R140GF , LSD55R140GT , LSD60R070HT , LSD60R092GF , LSD60R092GT , LSD60R099HT .

History: HM5N60 | 2SK1409 | BUK7Y7R2-60E | P2004EV | AUIRFR3710Z | 2SJ358C | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.