LSE55R066GT - описание и поиск аналогов

 

LSE55R066GT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSE55R066GT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 278 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.066 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для LSE55R066GT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSE55R066GT даташит

 ..1. Size:924K  lonten
 lsb55r066gt lsd55r066gt lse55r066gt.pdf pdf_icon

LSE55R066GT

LSB55R066GT/LSD55R066GT/LSE55R066GT LonFET Lonten N-channel 550V, 45A, 0.066 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 600V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.066 device has extremely low on resistance, making it IDM 135A especially suitable for applications which require Qg,typ 63.5 n

 8.1. Size:1326K  lonten
 lsb55r140gt lsd55r140gt lse55r140gt lsf55r140gt lsc55r140gt.pdf pdf_icon

LSE55R066GT

LSB55R140GT/LSD55R140GT/LSE55R140GT/ LSF55R140GT/LSC55R140GT LonFET Lonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.14 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 69A DM especially suitable for applications which

 8.2. Size:1326K  lonten
 lsb55r140gf lsc55r140gf lsd55r140gf lse55r140gf lsf55r140gf.pdf pdf_icon

LSE55R066GT

LSB55R140GF/LSC55R140GF/LSD55R140GF/ LSE55R140GF/LSF55R140GF LonFET Lonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.14 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 69A DM especially suitable for applications which

 8.3. Size:1268K  lonten
 lsb55r140gt lsd55r140gt lse55r140gt lsf55r140gt.pdf pdf_icon

LSE55R066GT

LSB55R140GT/LSD55R140GT/LSE55R140GT/LSF55R140GT LonFET Lonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.14 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 69A DM especially suitable for applications which require Q 40n

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LSD80R980GT , LSDN55R140GT , LSDN60R950HT , LSDN65R380GT , LSDN65R380HT , LSDN65R650HT , LSDN65R950HT , LSE50R160HT , RU7088R , LSE55R140GF , LSE55R140GT , LSE60R092GF , LSE60R092GT , LSE60R099HT , LSE60R105HF , LSE60R125HT , LSE60R180HT .

History: H03N60E | LSE50R160HT | AP9974GH | ME2612-G | LSB65R180HT | SVT20240NS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.