Справочник MOSFET. LSE60R1K4HT

 

LSE60R1K4HT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LSE60R1K4HT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 74.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для LSE60R1K4HT

 

 

LSE60R1K4HT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1103K  lonten
 lsd60r1k4ht lsg60r1k4ht lsh60r1k4ht lse60r1k4ht.pdf

LSE60R1K4HT LSE60R1K4HT

LSD60R1K4HT/LSG60R1K4HT/ LSH60R1K4HT/ LSE60R1K4HTLonFETLonten N-channel 600V, 3A, 1.4 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 1.4DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 9ADMespecially suitable for applications which require Q 5.8nC

 7.1. Size:1094K  lonten
 lsb60r105hf lsd60r105hf lse60r105hf lsc60r105hf.pdf

LSE60R1K4HT LSE60R1K4HT

LSB60R105HF/LSD60R105HF/LSE60R105HF/LSC60R105HFLonFETLonten N-channel 600V, 40A, 0.105 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.105DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 120ADMespecially suitable for applications which require

 7.2. Size:987K  lonten
 lsb60r125ht lsc60r125ht lsd60r125ht lse60r125ht.pdf

LSE60R1K4HT LSE60R1K4HT

LSB60R125HT/LSC60R125HT/LSD60R125HT/LSE60R125HT LonFET Lonten N-channel 600V, 25A, 0.125 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 650V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.125 device has extremely low on resistance, making it IDM 75A especially suitable for applications which require Qg

 7.3. Size:1125K  lonten
 lsb60r180ht lsc60r180ht lsd60r180ht lse60r180ht lsf60r180ht lsnc60r180ht.pdf

LSE60R1K4HT LSE60R1K4HT

LSB60R180HT/ LSC60R180HT/ LSD60R180HT / LSE60R180HT/ LSF60R180HT/LSNC60R180HT LonFET Lonten N-channel 600V, 20A, 0.18 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated VDS @ Tj,max 650V using advanced super junction technology. RDS(on),max 0.18 The resulting device has extremely low on IDM 60A resistance, making it especially suitable fo

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top