Справочник MOSFET. LSF55R140GF

 

LSF55R140GF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSF55R140GF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для LSF55R140GF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSF55R140GF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1326K  lonten
 lsb55r140gf lsc55r140gf lsd55r140gf lse55r140gf lsf55r140gf.pdf pdf_icon

LSF55R140GF

LSB55R140GF/LSC55R140GF/LSD55R140GF/LSE55R140GF/LSF55R140GFLonFETLonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.14DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 69ADMespecially suitable for applications which

 4.1. Size:1326K  lonten
 lsb55r140gt lsd55r140gt lse55r140gt lsf55r140gt lsc55r140gt.pdf pdf_icon

LSF55R140GF

LSB55R140GT/LSD55R140GT/LSE55R140GT/LSF55R140GT/LSC55R140GTLonFETLonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.14DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 69ADMespecially suitable for applications which

 4.2. Size:1268K  lonten
 lsb55r140gt lsd55r140gt lse55r140gt lsf55r140gt.pdf pdf_icon

LSF55R140GF

LSB55R140GT/LSD55R140GT/LSE55R140GT/LSF55R140GTLonFETLonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.14DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 69ADMespecially suitable for applications which require Q 40n

Другие MOSFET... LSE65R570GT , LSE65R650HT , LSE70R380GT , LSE70R450GT , LSE80R350GT , LSE80R680GT , LSE80R980GT , LSF50R160HT , AON7408 , LSF55R140GT , LSF60R180HT , LSF60R240HT , LSF60R280HT , LSF60R290HF , LSF60R380HT , LSF65R125HT , LSF65R180GF .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.