LSF70R380GT - описание и поиск аналогов

 

LSF70R380GT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSF70R380GT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для LSF70R380GT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSF70R380GT даташит

 ..1. Size:1391K  lonten
 lsc70r380gt lsd70r380gt lse70r380gt lsf70r380gt lsg70r380gt.pdf pdf_icon

LSF70R380GT

LSC70R380GT/LSD70R380GT/ LSE70R380GT/LSF70R380GT/LSG70R380GT LonFET Lonten N-channel 700V, 11A, 0.38 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 750V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.38 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 30A DM especially suitable for applications which

 8.1. Size:1179K  lonten
 lsd70r450gt lse70r450gt lsf70r450gt lsg70r450gt lsh70r450gt.pdf pdf_icon

LSF70R380GT

LSD70R450GT/LSE70R450GT/LSF70R450GT/LSG70R450GT/LSH70R450GT LonFET Lonten N-channel 700V, 11A, 0.45 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The RDS(on),max 0.45 resulting device has extremely low on resistance, IDM 30A making it especially suitable for applications which

 8.2. Size:1238K  lonten
 lsc70r640gt lsd70r640gt lsg70r640gt lsh70r640gt lsf70r640gt.pdf pdf_icon

LSF70R380GT

LSC70R640GT/LSD70R640GT/LSG70R640GT/ LSH70R640GT/LSF70R640GT LonFET Lonten N-channel 700V, 7A, 0.64 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.64 device has extremely low on resistance, making it IDM 21A especially suitable for applications whic

Другие MOSFET... LSF65R180GT , LSF65R180HT , LSF65R280HT , LSF65R290HF , LSF65R380GF , LSF65R380GT , LSF65R380HT , LSF65R570GT , 13N50 , LSF70R450GT , LSF70R640GT , LSF80R350GT , LSF80R680GT , LSF80R980GT , LSG50R160HT , LSG60R1K4HT , LSG60R240HT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.