Справочник MOSFET. LSF70R640GT

 

LSF70R640GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSF70R640GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для LSF70R640GT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSF70R640GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1238K  lonten
 lsc70r640gt lsd70r640gt lsg70r640gt lsh70r640gt lsf70r640gt.pdf pdf_icon

LSF70R640GT

LSC70R640GT/LSD70R640GT/LSG70R640GT/ LSH70R640GT/LSF70R640GT LonFET Lonten N-channel 700V, 7A, 0.64 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.64 device has extremely low on resistance, making it IDM 21A especially suitable for applications whic

 8.1. Size:1391K  lonten
 lsc70r380gt lsd70r380gt lse70r380gt lsf70r380gt lsg70r380gt.pdf pdf_icon

LSF70R640GT

LSC70R380GT/LSD70R380GT/LSE70R380GT/LSF70R380GT/LSG70R380GTLonFETLonten N-channel 700V, 11A, 0.38 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 750VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.38DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 30ADMespecially suitable for applications which

 8.2. Size:1179K  lonten
 lsd70r450gt lse70r450gt lsf70r450gt lsg70r450gt lsh70r450gt.pdf pdf_icon

LSF70R640GT

LSD70R450GT/LSE70R450GT/LSF70R450GT/LSG70R450GT/LSH70R450GT LonFET Lonten N-channel 700V, 11A, 0.45 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The RDS(on),max 0.45 resulting device has extremely low on resistance, IDM 30A making it especially suitable for applications which

Другие MOSFET... LSF65R280HT , LSF65R290HF , LSF65R380GF , LSF65R380GT , LSF65R380HT , LSF65R570GT , LSF70R380GT , LSF70R450GT , 4N60 , LSF80R350GT , LSF80R680GT , LSF80R980GT , LSG50R160HT , LSG60R1K4HT , LSG60R240HT , LSG60R280HT , LSG60R290HF .

History: SFF230G | L1N60I | HM60N08 | DMP2045U | SI4483EDY | CS6N90ARH-G | STD45NF75

 

 
Back to Top

 


 
.