LSG70R380GT - описание и поиск аналогов

 

LSG70R380GT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSG70R380GT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для LSG70R380GT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSG70R380GT даташит

 ..1. Size:1391K  lonten
 lsc70r380gt lsd70r380gt lse70r380gt lsf70r380gt lsg70r380gt.pdf pdf_icon

LSG70R380GT

LSC70R380GT/LSD70R380GT/ LSE70R380GT/LSF70R380GT/LSG70R380GT LonFET Lonten N-channel 700V, 11A, 0.38 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 750V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.38 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 30A DM especially suitable for applications which

 8.1. Size:1160K  lonten
 lsd70r1kgt lsg70r1kgt lsh70r1kgt.pdf pdf_icon

LSG70R380GT

LSD70R1KGT/LSG70R1KGT/ LSH70R1KGT LonFET Lonten N-channel 700V, 4A, 1.08 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The RDS(on),max 1.08 resulting device has extremely low on IDM 12A resistance, making it especially suitable for Qg,typ 13nC applications which require super

 8.2. Size:1179K  lonten
 lsd70r450gt lse70r450gt lsf70r450gt lsg70r450gt lsh70r450gt.pdf pdf_icon

LSG70R380GT

LSD70R450GT/LSE70R450GT/LSF70R450GT/LSG70R450GT/LSH70R450GT LonFET Lonten N-channel 700V, 11A, 0.45 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The RDS(on),max 0.45 resulting device has extremely low on resistance, IDM 30A making it especially suitable for applications which

 8.3. Size:1238K  lonten
 lsc70r640gt lsd70r640gt lsg70r640gt lsh70r640gt lsf70r640gt.pdf pdf_icon

LSG70R380GT

LSC70R640GT/LSD70R640GT/LSG70R640GT/ LSH70R640GT/LSF70R640GT LonFET Lonten N-channel 700V, 7A, 0.64 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.64 device has extremely low on resistance, making it IDM 21A especially suitable for applications whic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LSG65R380GF , LSG65R380GT , LSG65R380HT , LSG65R570GT , LSG65R650HT , LSG65R930GT , LSG65R950HT , LSG70R1KGT , IRF520 , LSG70R450GT , LSG70R640GT , LSG80R2K8GT , LSG80R680GT , LSG80R980GT , LSGC03R020 , LSGC04R025 , LSGC04R029 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.