Справочник MOSFET. LSGC15R085W3

 

LSGC15R085W3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LSGC15R085W3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 63 nC
   trⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 512 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для LSGC15R085W3

 

 

LSGC15R085W3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:797K  lonten
 lsgc15r085w3 lsge15r085w3.pdf

LSGC15R085W3 LSGC15R085W3

LSGC15R085W3\LSGE15R085W3Lonten N-channel 150V, 120A, 8.5m Power MOSFETFeatures Product Summarym 150V,120 A,R =8.5 @ V =10VDS(ON).max GS VDS 150V Improved dv/dt capabilityRDS(on) 7m Fast switchingID 120A 100% EAS Guaranteed Green device availableApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche

 9.1. Size:912K  lonten
 lsgc10r080w3 lsgd10r080w3 lsge10r080w3.pdf

LSGC15R085W3 LSGC15R085W3

LSGC10R080W3/LSGD10R080W3/LSGE10R080W3Lonten N-channel 100V, 80A, 8m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8mtechnology. This advanced technology has been I 80ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching perform

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 

Back to Top