Справочник MOSFET. LSH60R240HT

 

LSH60R240HT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSH60R240HT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
 

 Аналог (замена) для LSH60R240HT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSH60R240HT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1227K  lonten
 lsd60r240ht lsg60r240ht lsh60r240ht lsf60r240ht lse60r240ht.pdf pdf_icon

LSH60R240HT

LSD60R240HT/LSG60R240HT/LSH60R240HT/LSF60R240HT/ LSE60R240HTLonFETLonten N-channel 600V, 17A, 0.24 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.24DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 50ADMespecially suitable for applications which

 7.1. Size:910K  lonten
 lsg60r2k5ht lsh60r2k5ht.pdf pdf_icon

LSH60R240HT

LSG60R2K5HT/ LSH60R2K5HTLonFETLonten N-channel 600V, 1.9A, 2.5 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 2.5DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 5.7ADMespecially suitable for applications which require Q 4.7nCg,typsuperior pow

 7.2. Size:1293K  lonten
 lsd60r280ht lsg60r280ht lsh60r280ht lsf60r280ht lse60r280ht lsb60r280ht.pdf pdf_icon

LSH60R240HT

LSD60R280HT/LSG60R280HT/LSH60R280HT/LSF60R280HT/ LSE60R280HT/ LSB60R280HTLonFETLonten N-channel 600V, 15A, 0.28 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.28DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 45ADMespecially suitable for appl

 7.3. Size:1336K  lonten
 lsd60r280ht lsg60r280ht lsh60r280ht lsb60r280ht lsf60r280ht lse60r280ht lsc60r280ht.pdf pdf_icon

LSH60R240HT

LSD60R280HT/LSG60R280HT/LSH60R280HT/LSB60R280HTLSF60R280HT/ LSE60R280HT/ LSC60R280HTLonFETLonten N-channel 600V, 15A, 0.28 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 650VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.28DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 45ADMespecially suitab

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... LSGN04R029 , LSGN04R035 , LSGN06R034W3 , LSGN06R098W3 , LSGN085R065W3 , LSGN10R085W3 , LSH50R160HT , LSH60R1K4HT , IRF3710 , LSH60R280HT , LSH60R290HF , LSH60R2K5HT , LSH60R380HT , LSH60R650HT , LSH60R950HT , LSH65R1K5HT , LSH65R280HT .

History: SM8205AO | CEB20P06 | ZXMP6A17E6TA | IXTP4N90A | AP18T10AGH-HF | SVSP14N60FJDD2 | 7N65L-TQ2-R

 

 
Back to Top

 


 
.