Справочник MOSFET. LSH80R680GT

 

LSH80R680GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSH80R680GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.68 Ohm
   Тип корпуса: TO-251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LSH80R680GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1396K  lonten
 lsc80r680gt lsd80r680gt lse80r680gt lsf80r680gt lsg80r680gt lsh80r680gt.pdf pdf_icon

LSH80R680GT

LSC80R680GT/LSD80R680GT/LSE80R680GT/LSF80R680GT/LSG80R680GT/LSH80R680GTLonFETLonten N-channel 800V, 8A, 0.68 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.68DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 8ADMespecially suitable for applicat

 8.1. Size:912K  lonten
 lsg80r2k8gt lsh80r2k8gt.pdf pdf_icon

LSH80R680GT

LSG80R2K8GT/ LSH80R2K8GTLonFETLonten N-channel 800V, 2A, 2.8 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 2.8DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 5ADMespecially suitable for applications which require Q 7.7nCg,typsuperior power d

 8.2. Size:1307K  lonten
 lsc80r980gt lsd80r980gt lse80r980gt lsf80r980gt lsg80r980gt lsh80r980gt.pdf pdf_icon

LSH80R680GT

LSC80R980GT/LSD80R980GT/LSE80R980GT/LSF80R980GT/LSG80R980GT/LSH80R980GTLonFETLonten N-channel 800V, 5A, 0.98 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.98DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 5ADMespecially suitable for applicat

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PSMN013-30LL | AUIRFZ34N | IRLML9301TRPBF | RU7550S | 2SK1771 | STP20NM60FP | 2N6760JANTXV

 

 
Back to Top

 


 
.