Справочник MOSFET. WPM2015-MS

 

WPM2015-MS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WPM2015-MS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для WPM2015-MS

 

 

WPM2015-MS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  msksemi
 wpm2015-ms.pdf

WPM2015-MS WPM2015-MS

www.msksemi.comWPM2015-MSSemiconductorCompianceAPPLICATION Load Switch for Portable Devices DC/DC ConverterFEATURETrenchFET Power MOSFETIV(BR)DSS RDS(on)MAX D90 m@-4.5V-20 V-3 A110 m@-2.5V1. GATE2. SOURCE3. DRAINSOT-23-3LMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage V -20DSVGate-So

 6.1. Size:868K  cn vbsemi
 wpm2015-3-tr.pdf

WPM2015-MS WPM2015-MS

WPM2015-3/TRwww.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICA

 7.1. Size:807K  willsemi
 wpm2015.pdf

WPM2015-MS WPM2015-MS

WPM2015WPM2015Http://www.sh-willsemi.com Single P-Channel, -20V, -2.4A, Power MOSFET VDS (V) Rds(on) ( ) 0.081@ VGS= 4.5V-200.103@ VGS= 2.5VSOT-23 DescriptionsD3The WPM2015 is P-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON) with low gate charge. This device is suitable for use 12in DC-D

 7.2. Size:84K  tysemi
 wpm2015.pdf

WPM2015-MS WPM2015-MS

Product specificationWPM2015Single P-Channel, -20V, -2.4A, Power MOSFET VDS (V) Rds(on) ( )0.081@ VGS= 4.5V-200.103@ VGS= 2.5VSOT-23 DescriptionsDThe WPM2015 is P-Channel enhancement 3MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS (ON)with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion, power s

 7.3. Size:1569K  kexin
 wpm2015.pdf

WPM2015-MS WPM2015-MS

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETWPM2015 (KPM2015)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-20V ID =-2.4 A1 2+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 110m (VGS =-4.5V)+0.11.9-0.1 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V) Supper high density cell design1. Gate2. SourceD3. Drain31 2G S Absolute Maximum Rating

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top