Справочник MOSFET. MEM4N60THDG

 

MEM4N60THDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEM4N60THDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92.1 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251S
 

 Аналог (замена) для MEM4N60THDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEM4N60THDG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:722K  microne
 mem4n60thdg mem4n60thg mem4n60k3g mem4n60a3g.pdf pdf_icon

MEM4N60THDG

MEM4N60 N-CHANNEL POWER MOSFET MEM4N60 General Description Features 600V4A Switching regulator application. RDS(ON)=2.3@VGS=10V High voltage and high speed. LOW CRSS Switching application. FAST SWITCHING PACKAGE :TO251,TO251S,TO252,TO-220F Pin Configuration MEM4N60THDG MEM4N60THG MEM4N60K3G MEM4N60A3G Maximum Ratings (Ta=25) P

Другие MOSFET... MEM2306S , MEM2307M3G , MEM2307XG , MEM2309S , MEM2310M3 , MEM2310X , MEM2313 , MEM2402 , AON6380 , MEM4N60THG , MEM4N60K3G , MEM4N60A3G , MIC94052 , MIC94053 , TN0106 , TN0110 , TN0604 .

History: IRF540ZSPBF | PSMN5R0-100PS | MMQ60R115PTH | CMRDM3590

 

 
Back to Top

 


 
.