MEM4N60THDG - описание и поиск аналогов

 

MEM4N60THDG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MEM4N60THDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO251S

Аналог (замена) для MEM4N60THDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEM4N60THDG даташит

 ..1. Size:722K  microne
 mem4n60thdg mem4n60thg mem4n60k3g mem4n60a3g.pdf pdf_icon

MEM4N60THDG

MEM4N60 N-CHANNEL POWER MOSFET MEM4N60 General Description Features 600V 4A Switching regulator application. RDS(ON)=2.3 @VGS=10V High voltage and high speed. LOW CRSS Switching application. FAST SWITCHING PACKAGE TO251,TO251S,TO252,TO-220F Pin Configuration MEM4N60THDG MEM4N60THG MEM4N60K3G MEM4N60A3G Maximum Ratings (Ta=25 ) P

Другие MOSFET... MEM2306S , MEM2307M3G , MEM2307XG , MEM2309S , MEM2310M3 , MEM2310X , MEM2313 , MEM2402 , IRFZ24N , MEM4N60THG , MEM4N60K3G , MEM4N60A3G , MIC94052 , MIC94053 , TN0106 , TN0110 , TN0604 .

History: 2SK3121

 

 

 

 

↑ Back to Top
.